绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种三端复合型半导体器件，结合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点。它通过栅极电压控制通断，利用电导调制效应降低通态压降，具有高输入阻抗和低导通损耗的特点。主要应用于光伏逆变器、新能源汽车电控系统及工业变频设备等领域 。
早期，瑞士ABB公司开发出8kV高压器件，德国EUPEC推出了6500V高压器件 。2010年，中国科学院微电子研究所成功研制国内首款可产业化1200V IGBT芯片 。2024年，安森美推出第七代场截止型IGBT智能功率模块，采用沟槽栅极和场终止结构，耐压等级覆盖600V至1200V 。2026年，上海贝岭开始批量交付车规级发动机点火IGBT专用栅极驱动芯片SAQ3100 ；宏微科技发布了基于自研M7i芯片平台的1200V 800A GWB模块及M7d+ FRD新平台 ；北一半导体量产的IGBT模块已应用于新能源汽车与风光发电领域 。同年，在甘肃—浙江±800千伏特高压直流输电工程中，IGBT作为实现柔性直流技术的关键器件得到应用，该工程核心换流阀采用IGBT，首座换流阀阀塔集成648个IGBT器件 。
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